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Channel: 电力电子功率器件SiC与GaN
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ALLEGRO的A4900一款高电压、高速功率IGBT或MOSFET 驱动器

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A4900:高电压三相门极驱动器

A4900 是一款高电压、高速功率 IGBT 或 MOSFET 驱动器,可以对三相应用提供三个独立的半桥通道。

自举电容器用于提供用作高电流开关的 N 通道 MOSFET 或 IGBT 需要的上述电池电源电压。该器件可实现对三相桥中所有六个门极驱动的直接控制,从而可通过块整流或正弦激励驱动电动机。集成交叉控制与固定无感时间可避免电源开关跨导。

集成诊断提供了欠压、过温及功率桥故障指示。可将它们配置成在大多数短路情况下保护电源开关。详细诊断可通过串行数据词输出的形式提供。

A4900 采用无铅 (Pb) 44 引脚 QSOP 封装(后缀为 LQ),采用 100% 雾锡电镀引脚框。

  • 高电压三相门极驱动
  • 对 550 VDC 电源的浮置高侧门极驱动
  • 可承受高电压转换速率
  • 通过固定无感时间进行交叉传导保护
  • 15 V 门极驱动电源电压
  • 与 TTL 兼容的逻辑输入
  • 欠压检测
  • 具有集成故障屏蔽的过流检测
  • 过温关机
  • 匹配的传播延迟
  • 详细的故障报告

封装 

完整型号

型号 封装类型 温度 遵循 RoHS规范 部件 构成/RoHS 数据      
APEK4900KLQ-01-T DEMO BOARD -20°C to 85°C --
A4900KLQTR-T 44-lead QSOP -40°C to 125°C 查看数据

 

如需以上器件,请联系我:

赵先生 zhaojiaxi@163.com

上海瑞齐德电子有限公司

Mobile:13701069452 

http://www.richwoodchina.com

 

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