GeneSiC碳化硅SiC功率器件(3)

Si IGBT/SiC Diode模组：

• 特性/好处

• 光穿透 (OPT) IGBT 设计
• 150 oC工作温度
• Vf 的正温度系数，易于并联使用
• 超快开关瞬态
• SiC Diode的温度独立开关性能
• 提升电路效率
• 业内最好的RBSOA/SCSOA性能

• 应用

太阳能逆变器(a)、航空致动器、服务器电源、谐振逆变器 > 100 kHz、感应加热、电焊机。

Si – SiC 混合产品：

•Si IGBT/SiC Diode Copacks

• 额定电流范围35 A ~ 100 A
• 额定电压 1200 V
• 业内标准封装 – TO-247 and SOT-227
• RoHS 认证

GeneSiC 混合模组产品和所有硅模块在1200 V/ 100 A 下开关特性：

•Switching Transients

• The Reverse Recovery Characteristics of FWD reflect on the IGBT Turn On Characteristics in the IGBT modules/copacks
• The Lower QC of FWD in GeneSiC Hybrid Copack will reduce the IGBT and FWD switching losses tremendously as compared to the commercial All-Si IGBT module转载请注明出处 http://www.igbt8.com

GeneSiC 混合模组和所有硅模块在1200V/ 100 A 下开关比较：

 • Switching Comparison

• A significant reduction of about 88% and 47% in the IGBT Turn On and FWD Turn On Lossesrespectively can be realized by using GeneSiC Hybrid IGBT Copack
• GeneSiC Hybrid IGBT Copacks deliver an Overall Switching Loss reduction of about 28% as compared to the current stateof-the-art Si IGBT modules
• Replacing the Si IGBT in these Copacks with a SiC Switch will further reduce the Overall Losses

1200 V 晶体管参数对照：

如需以上GENESIC公司的器件，请联系代理商：

赵先生 zhaojiaxi@163.com

上海瑞齐德电子有限公司

Mobile:13701069452 

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我们所代理的优势产品

GENESIC公司的SIC碳化硅电子组件、功率模块组件。

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