GPTG的碳化硅MOSFET将在2016的第三季可得到
碳化硅(宽带隙和高导热性)使得碳化硅金属氧化物半导体场效管(MOSFETs)比起硅开关，MOSFETs和隔离栅双极晶体管(IGBTs)两种，能操作在较高的电压并且有更高的效率。 GPTG的碳化硅金属氧化物半导体场效应管展现极低的RDS,ON导通阻抗而且具有优异的开关性能，这将会改善效率以及减少了它的内存量。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET具有较低的特定的导通电阻。比起业界最佳的1200V硅性IGBTs，碳化硅MOSFET较有极低RDS,ON的开关的速度更加快，横过整个温度范围内。 GPGT的碳化硅MOSFETs的高效率简化了功率电子系统的散热设计。
GPTG的碳化硅MOSFETs的特色包括低电阻，高速转换和低电容。电阻的正面温度系数使得它们更易于平行。它们足以使较高的开关频率有更高的系统效率和具有大幅度降的低发热。这些产品非常适和用于电机驱动器，开关式电源供应器，太阳能逆变器和DC-DC变换器。
GP1T036A060B GP1T072A060B GP1T025A120B GP1T040A120B GP1T080A120B GP1T160A120B
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Model
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VDS
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Current
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RDsOn
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| Model | VDS | Current | RDsOn |
| GP1T036A060B | 600 V | 80 A | 36 mΩ |
| GP1T072A060B | 600 V | 40 A | 72 mΩ |
| GP1T025A120B | 1200 V | 100 A | 25 mΩ |
| GP1T040A120B | 1200 V | 62 A | 40 mΩ |
| GP1T080A120B | 1200 V | 32 A | 80 mΩ |
| GP1T160A120B | 1200 V | 16 A | 160 mΩ |
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