美国Global Power Technologies Group(GPTG)碳化硅肖特基二极管裸芯片
碳化硅(SiC) 是一种宽带隙的半导体材料,与传统于硅为基础的组件相比,它能够提供更高性能的功率器件,并且比起于氮化镓(GaN)为基础的器件,碳化硅可用于范围更广的电压和电流。碳化硅宽带隙(3.26 eV), 高临界磁场(3x106 V/cm)和高导热率(4.9 W/mK) 的组合引起更有效率的效果,可以冷却运行和能足以减少系统成本、体积和重量。
我们于碳化硅为基础的高电压肖特基二极管,提供裸片,给予最高效率以及无与伦比的性能。功能包括高浪涌电流、近零反向恢复电流、高带宽以及快速的温度无关切换。这些特点引起了低开关损耗的单相整流,因此取得最高的效率;降低散热器的要求和提高系统功率的密度。 GPTG碳化硅肖特基二极管积极有效的电阻率温度系数使并联运行; 而因有了良好的热稳定性而变得更实际。
典型的应用器材包括电机驱动器、开关电源、功率因数校正电路、太阳能逆变器和二极管缓冲器。
Model
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VDC
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If
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Footprint
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Spice Model
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Model | VDC | If | Footprint | Spice Model |
GDC03S060X | 600 V | 3 A | 0.97 x 1.5mm | |
GP2D003A060X | 600 V | 3 A | 0.97 x 1.5mm | GP2D003060 |
GDC06S060X | 600 V | 6 A | 1.45 x 1.5mm | |
GP2D006A060X | 600 V | 6 A | 1.45 x 1.5mm | GP2D006060 |
GDC12S060X | 600 V | 12 A | 2.90 x 1.5mm | |
GP2D012A060X | 600 V | 12 A | 2.90 x 1.5mm | GP2D012060 |
GP2D003A065X | 650 V | 3 A | 0.97 x 1.5mm | GP2D003065 |
GP2D006A065X | 650 V | 6 A | 1.45 x 1.5mm | GP2D006065 |
GP2D012A065X | 650 V | 12 A | 2.90 x 1.5mm | GP2D012065 |
GP2D005A120X | 1200 V | 5 A | 1.32 x 2.4mm | GP2D005A120 |
GDC08S120X | 1200 V | 8 A | 1.41 x 4.1mm | |
GP2D010A120X | 1200 V | 10 A | 2.34 x 2.4mm | GP2D010A120 |
GDC15S120X | 1200 V | 15 A | 2.12 x 4.1mm | |
GP2D020A120X | 1200 V | 20 A | 4.38 x 2.4mm | GP2D020A120 |
GDC30S120X | 1200 V | 30 A | 4.25 x 4.1mm | |
GP2D005A170X | 1700 V | 5 A | 1.32 x 2.4mm | |
GP2D010A170X | 1700 V | 10 A | 2.34 x 2.4mm | |
GP2D020A170X | 1700 V | 20 A | 4.38 x 2.4mm | |
GP2D030A060X | 600 V | 30 A | 3.5 x 3.5mm | GP2D030060 |
GP2D030A120X | 1200 V | 30 A | 3.5 x 3.5mm | GP2D030A120 |
GP2D050A060X | 600 V | 50 A | 4.5 x 4.5mm | GP2D050060 |
GP2D010A060X | 600 V | 10 A | various mm | |
GP2D010A065X | 650 V | 10 A | various mm | |
GP2D020A060X | 600 V | 20 A | various mm | |
GP2D005A065X | 650 V | 5 A | various mm | |
GP2D020A065X | 650 V | 20 A | various mm | |
GP2D008A120X | 1200 V | 8 A | various mm |
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上海瑞齐德电子有限公司
我们所代理的优势产品
GPTG公司的SIC碳化硅电子组件、功率模块组件。
ALLEGRO公司的电机驱动器芯片、电流传感IC,霍尔效应传感器IC,LED灯/LED背光驱动IC等。
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